哪吒汽车2022年11月发布了技术品牌浩智，大家觉得智能汽车时代，新势力车企除了谈智能，还能谈什么？

张抗抗的回答

突然有些怀念17、18年，那时候的新势力很少谈什么智能，谈的都是一些硬核科技，比如电池成组技术、三合一电驱技术等等。不像今天，新势力开发布会必谈智能；甭管用户能否用得上，大谈特谈语音交互、情感座舱。

当然，也不能全怪新势力，这一切都是「内卷」的结果。就像大家当年「卷续航」一样，如今新势力也把智能的门槛越「卷」越高。

三电技术不值得卷了吗？那也未必！比如某车企，发布会强调的智能座舱没有掀起太大波澜，最近却由于800V+SiC的续航扎实反而重新吸引了不少关注。由此可见，电车消费者还是非常重视能耗、续航、安全等电动汽车基础属性的；只不过三电技术卷起来投入大、见效慢，所以新势力的热情才没那么高涨的吧！

这种背景下，最近有一场几乎不谈智能、大讲特讲三电硬核技术的技术发布会，就显得难能可贵了！这场发布会的主角并不是一线新势力品牌，而是一直被认为新势力第二梯队、实际上月销量却已超过1.8万辆的 @哪吒汽车。

这就是哪吒汽车名为「浩智战略2025」的技术品牌发布会。请注意「浩智」是一个技术品牌，并不代表任何车型。这有点类似于吉利汽车的SEA浩瀚平台一样，「浩瀚」只是一个技术概念，在此基础上会有极氪001这样的具体车型。

哪吒汽车的技术品牌：「浩智战略2025」

在发布会之前，我曾前往哪吒汽车的上海管理总部，就「浩智战略2025」下的电驱技术、增程技术与中央超算平台三方面与戴大力进行深入沟通。有些信息是发布会上未提及的，在此来向大家分享一下：

v2 453781bad02dc3fb8b76bf51665f2906 1440w — 与哪吒汽车CTO戴大力的线下深入交流

一、浩智电驱：800V+SiC

今年下半年比较瞩目的理想L8发布会上，李想花了很大篇幅讲了两项未来的纯电技术，可见这俩技术有多重要！这就是电驱领域最重要的两项硬核技术：800V与SiC。

中学物理大家都学过，所以都明白从400V到800V的升级。然而SiC技术是什么？大部分人都说得不是很清楚。要明白这一点，需要大概了解一下SiC与IGBT的基本原理。

1.SiC与IGBT的基本原理
咱们用手轻轻一触开关，就可以控制220V的灯泡开关。这就是一种「以物理信号控制高压电」的思路。

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一些手机也通过PWM脉宽调制技术来实现亮度调节： 你看不到屏幕的高频闪动，只能感知到屏幕明暗的「等效亮度」。

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说到这里，你可能已经打开了思路：通过PWM技术控制电流通断节奏，不就能控制电机旋转方向及扭矩了吗？
思路没错，关键就在于找到一个精准的、灵敏的、高效的「开关器件」，来实现「以芯片的低压信号控制高压电路的通断」！
打个比方，只需要给「开关器件」输入一个小功率的控制信号（例如1分钱发个短信），它就可以输出/断开高功率电流 —— 这种以小搏大的开关器件，就是传说中的双极型晶体管（简称BJT，Bipolar Junction Transistor），又称三极管。

v2 403aba45c93e7c8035228725adb63875 1440w — 双极型晶体管BJT的工作原理示意图图片来源[1]

BJT能完成「开关器件」的基本功能，但它也有开关频率较慢、开关损耗较高、驱动功耗高等缺点，更重要的是：它要撬动100块钱，至少要花费1毛钱，如果我1毛钱也不想花呢？
那就要把「流控器件」换为「压控器件」，也就是MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor金属－氧化物半导体场效应晶体管）[2]。

v2 9ac087d12135258a394a5e55a5176500 1440w — MOSFET截面图图片来源[2]

上面的MOSFET截面图是不是看着头大？不要紧，我们只需要记得：MOSFET也有三个极，只需要在Gate极上施压（施加一个电压信号）但不用付钱，我们就可以另外两极上输出/断开功率电流。

v2 0eccce5eaf621e8f15c5ac0b908097c7 1440w — 横坐标为电压信号，纵坐标为功率电流 —— 无电压时，功率电流断开；电压足够大的时候，功率电流导通。图片来源[2]

MOSFET看起来不错，但有一个致命问题：耐压较弱，做不了高功率！
解决这个问题，有两个思路。
一个思路是从外部找援手，MOSFET找到刚刚被它打败的BJT，二者一合计就组成了耐压范围600-6500V的大功率开关器件，也就是MOSFET + BJT = IGBT （Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）。

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刚才咱们提到的BJT、MOSFET、IGBT指的都是半导体「结构」，默认都基于Si（硅）「材料」。因此，它们的全称应该「材料+结构」的组合，比如Si MOSFET、Si IGBT。只不过在很长一段时间里，除了Si别无选择，所以也就把材料符号给省略了。
除了外部找援手之外，提升MOSFET耐压性的第二条思路就是「打铁还需自身硬」 —— 以第三代半导体材料SiC来替代传统的Si材料。SiC是一种宽禁带半导体材料，可以做到很高的耐压下芯片还很薄 —— 高耐压、高功率、高效率、小体积[3]。

v2 df0d14b8b79d3043296470635989c57b 1440w — 三代半导体材料，第三代主要为宽禁带的SiC与GaN 图片来源[3]

与第一代的Si材料相比，SiC具有很强的材料属性优势：

v2 23d0460e1e38c4a48b18aa215fc10916 1440w — Si、SiC、GaN材料属性对比图片来源[3]

与硅基IGBT相比，SiC MOSFET也可以做到6500V耐压[4]。它不仅结构更简单，更重要的还是更高的效率 —— 这一点理解起来也很容易，少了「流控器件」BJT这一环节，结构更为简单的SiC MOSFET肯定比Si IGBT更高啊！

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2.浩智电驱的800V与SiC技术特点
据哪吒汽车戴大力介绍，浩智平台所用SiC功率器件的导通电阻只有2.2mΩ、热阻仅有0.1℃/W，在400V系统下SiC功率器件损耗可降低30%-50%、800V系统下SiC功率器件损耗可降低50%～70%。
SiC技术的应用，可以使CLTC综合效率提升3%-5%，整车续航里程增加8%。除此之外还有支持800V快充、驱动系统噪音更小、控制器功率密度更大等优势：
线下交流会现场，我还向哪吒汽车CTO戴大力提了一个问题：为什么SiC技术使CTLC综合效率提升3%-5%，整车续航增加不是3.1-5.2%，而是8%呢？
戴大力回复说这个8%涵盖了三电系统的其他改进带来的效果，例如电机的全新一代多线型、新型梯形磁路、多极槽平台化扁线等技术。

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据我所知，哪吒汽车是继两家一线新势力品牌之外，第一个同时官宣800V+SiC两项三电硬核技术的新势力品牌，在技术上有相当的进取之心。
在一众800V与SiC技术中，我觉得哪吒汽车有一个独特的地方，那就是电机控制器的接口设计具备相当强的兼容性，可以实现SiC/IGBT的PIN-PIN完美切换。
这样做的好处就是让浩智电驱的兼容性更强，横跨永磁/异步两种电机类型、400V/800V两个高压级别和170-270kW的功率跨度。