这个问题喊大学生出列还真超纲了，不是因为这个理论有多高深，而是这玩艺完全是 CCD 特性的问题，不是个光学问题。

简单点说，就是感光器件局部严重过曝，光电子数超过满阱容量（电荷存储区可以存储的最大电子数）而溢出，“污染” 相邻图像区域的现象（blooming）。

CMOS 的一个优势就是满阱容量很容易做高，并且由于数据读取方式的差异一般不会出现 smear 效应。当然 CMOS 的光电转化效率天然不如 CCD 也是致命伤。当年摄影圈 CMOS 和 CCD 大战的时候，这个问题一度被吵得很透。

某个不存在的网站上有个视频讲得浅显易懂，能用不存在的方式上网的知友可以看一下。

https://www.youtube.com/watch?v=-DoTgQbALU0

相关的论文和专利都非常多。通常的相机对这个问题不是特别关心，甚至很多资深摄影 er 都没有太深概念，但是工业镜头领域，blooming 抑制是一个非常重要的特性。

奥林巴斯的网站上有一篇技术文章讲这个问题的。

溢出引起的晕染跟眩光（flare）的很大区别在于，眩光分布在强光源和镜头光学中心之间的连线上，呈带状排布^[1]；而 blooming 以强光源为中心，表现为明显的各项同性，跟镜片之间不体现出联系。

再举一个例子——用手机拍摄日偏食，绝大部分拍出来的结果是这样：

右侧实际的太阳的一次成像被月亮遮挡的部分完全被 ccd 光晕覆盖，看上去就是亮呼呼的一砣。而左边蓝绿色的鬼影（Ghosting）由感光器件经过保护玻璃两次反射，大大削弱，没有超过感光器件的满阱容量。所以反而可以清楚地看出日食的轮廓。