审判庭认定，被泄露的技术属于国家核心技术，全某参与泄露相关技术的过程。审判庭批评道，全某将大企业投入巨额资金研发的关键技术信息外泄，并让外国单位使用，造成有关企业乃至国家利益受损，应对其予以严惩。

报导指，全某于去年五月被捕并被起诉，曾与三星电子前经理金某一起离职并跳槽至中国半导体企业长鑫存储（CXMT）。全某涉嫌在此过程中将三星电子同步动态随机存取存储器（DRAM）工艺技术泄露给一家中国公司。

泄露的技术据悉是三星电子投入1.6万亿韩元（约合人民币74亿元）资金全球率先研发出的10纳米级DRAM最新工艺。经查发现，全某以提供涉案技术相关信息为代价，近6年从长鑫存储方面共获得了29亿韩元，其中包括3亿韩元的合同奖励和3亿韩元的股票期权，作为转让技术的交换条件。

三星电子前经理金某此前曾被送上法庭，在第二审中，他因在2016年向长鑫存储过渡期间泄露与核心流程相关的技术数据而被判处6年有期徒刑和2亿韩元罚款，但韩国大法院已将此案发回重审，目前正在首尔高等法院审理中。