韩国媒体称英伟达要求三星、SK海力士和美光用台积电3纳米制造NVHBM基础晶粒

韩国一家媒体10月18日报道说，三星电子已决定采用台积电的制程，生产英伟达下一代定制高带宽内存（HBM）的基础晶粒（未经证实）。业界人士18日对媒体说，英伟达已要求三星电子、SK海力士和美光3家供应商，在英伟达的定制高带宽内存NVHBM上，用台积电的3纳米制程制造基础晶粒。英伟达同时要求这3家公司的核心晶粒统一采用第6代DRAM制程，也就是1c制程。HBM的结构是：多块DRAM垂直堆叠成核心晶粒，下面放着基础晶粒；基础晶粒连接内存和系统芯片，负责高速收发数据。

目前三星电子供应的所有HBM产品，基础晶粒都由三星自己生产，要调整的是原本由自身一手包办HBM制造的整合策略。三星电子的HBM4和正在量产验证的HBM4E，基础晶粒现在都用自家代工厂的4纳米制程。这家媒体还说，三星电子曾与台积电合作过，为的是HBM与图形处理器（GPU）集成时兼容台积电的先进封装制程，在HBM制造阶段合作则是双方的第一次。三星电子没有排除在NVHBM的开发、生产过程中使用自家晶圆厂的可能，在标准HBM产品上继续一手包办，在AMD等其他客户的定制HBM上也打算这样做。一名业界人士对媒体说，三星正在验证自家代工厂是否也能生产NVHBM的基础晶粒，这是防备NVHBM需求超过台积电生产能力的安排。

英伟达在8月26日的博客中公布了NVHBM，这是一种新一代高带宽内存技术。英伟达说，NVHBM把英伟达的定制内存控制器集成进HBM的基础晶粒，传统HBM架构则把内存控制器放在XPU晶粒上。英伟达给出了NVHBM与标准HBM4E相比在内存带宽、HBM功耗和XPU计算晶粒可用面积上的改善幅度，数字见下表。NVLink Fusion是英伟达让合作方把定制XPU和CPU接入英伟达机架级平台的技术。英伟达还说，NVHBM将由领先的内存合作伙伴验证并提供。英伟达说自己在建立标准的NVHBM实现，由多家内存供应商提供；这样可以减少集成和验证多家供应商内存所需的工程工作量，让NVLink Fusion客户更快把定制AI芯片推向市场。英伟达的博客说，亚马逊的Annapurna Labs将是第一个在NVLink Fusion合作的同时，与英伟达合作NVHBM技术的企业。

美光总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer 9月30日在财报后的分析师电话会上说，美光与英伟达在HBM4E（即所谓的NVHBM）上合作已有一年多。DeBoer说，美光与英伟达共同设计HBM4E，没有像HBM4那样使用美光自有的基础晶粒；这项共同设计采用代工厂制程，定制产品和JEDEC规范的产品都是如此。另一家韩国媒体9月15日刊出的报道里，一名熟悉情况的人士对媒体说，三星电子计划按客户要求，在NVHBM的基础晶粒上同时用自家代工厂和台积电的制程，具体采用与否和比重要看最终客户需求（未经证实）。另一名人士对媒体说，已有客户在用三星的HBM核心晶粒和台积电制程的基础晶粒设计产品。

茉莉花观察

我们的分析：按这家媒体引述的这项要求，三星供给英伟达的NVHBM，基础晶粒要从自己生产转到台积电。英伟达说标准实现能减少集成和验证多家供应商内存的工作量；我们认为，要求三星、SK海力士和美光用同一制程可能与此有关。

不同看法：9月15日那篇报道里熟悉情况的人士对媒体说，采用哪家的制程要看客户的要求。我们同意；但业界人士对媒体说，英伟达对NVHBM提出的要求是台积电3纳米，所以我们仍认为，三星若按这项要求做，供给英伟达的NVHBM，基础晶粒要由台积电制造。

接下来要看什么：三星是否在官网公告或财报电话会议上宣布用自家代工厂生产NVHBM基础晶粒。我们判断，到2026年12月31日（含当天），三星电子不会在官网公告或财报电话会议上宣布将用自家代工厂生产英伟达NVHBM的基础晶粒。业界人士对媒体说，三星在验证自家代工厂是否也能生产，这是防备需求超过台积电产能。我们认为，调整只限于英伟达NVHBM的基础晶粒：标准HBM产品和AMD等其他客户的定制HBM，三星仍打算自己一手包办。

综合风传媒、ZDNet Korea、首尔经济日报报道
数据：英伟达官方博客、美光财报电话会议逐字稿