（中央社记者张建中新竹8日电）台积电今天宣布，与ASML合作，共同推动转移升级至12吋光罩，目标于2031年之前创建12吋光罩试产线。半导体产业专家表示，英伟达（NVIDIA）GPU芯片尺寸越来越大，是促使台积电与ASML这次合作的一大关键。
台积电今天发布新闻表示，于BACUS国际光学工程学会（SPIE）先进微影技术研讨会前宣布与艾司摩尔（ASML）共同推动半导体产业转移升级至更大尺寸的极紫外光（EUV）微影光罩合作计划，High NA（高数值孔径）EUV将自现行的6吋光罩，转移至更大的12吋光罩。
半导体产业专家说，半导体制造厂采用6吋光罩曝光生产已行之多年，随着High NA EUV单次曝光面积缩小，加上人工智能（AI）芯片龙头英伟达的GPU芯片日益复杂，尺寸越来越大，使得6吋光罩成为半导体先进制程一大痛点。
专家表示，改采方形的玻璃基板可以减少下脚料，不过，改采更大的12吋光罩，才能够解决曝光时需要两张6吋光罩拼接的问题，提升生产力，并可增加英伟达GPU设计的弹性。
专家指出，光罩自6吋升级至12吋是半导体业一大工程，除台积电与ASML合作外，还需要电子设计自动化（EDA）、光阻剂、光罩盒等生态系共同投入。英特尔（Intel）及三星（Samsung）也参与推动12吋光罩技术的产业倡议，有助于扩大经济规模，加大供应链投入的意愿。