中国最大的内存芯片制造商长鑫存储（CXMT）总裁曹堪宇日前在上海举行的集成芯片和芯粒大会上说，公司计划在2026年底前推出采用新一代4F²单元架构的服务器内存。长鑫说，已完成这种新架构的设计，年底前会发布用于企业级服务器的新一代DDR5内存模组（RDIMM），但没有透露规格和具体发布时间。
受影响的是韩国两大内存厂商和这两家公司的股东：消息传出后，SK海力士和三星电子的股价从10月12日韩国股市开盘起，到13日已分别下跌15%和13%。这两家公司的内存芯片是人工智能基础设施建设的重要部件，过去12个月，SK海力士和三星电子的股价分别上涨了250%和150%。
| 公司 | 10月12日开盘起 | 过去12个月 |
|---|---|---|
| SK海力士 | 跌15% | 涨250% |
| 三星电子 | 跌13% | 涨150% |
数据：晨星（Morningstar）统计的韩国股市行情
4F²是一种新的内存单元架构：把晶体管、电容等部件从横向排列改成纵向堆叠，单元面积最多可比现在通用的6F²架构缩小约50%，同一块芯片上能放进更多存储单元。十多年来，6F²一直是DDR4、DDR5和高带宽内存（HBM）的业界标准。
三星电子半导体部门首席技术官宋在赫（Song Jaehyeok）10月14日在首尔的韩国半导体展上被记者问到时说，三星也在开发4F²技术，“正在努力”。三星原定2028年量产采用这种技术的内存，长鑫宣布的时间早了两年。有报道说，三星和SK海力士很早就研究过4F²内存，但考虑到生产损耗等因素，没有投入量产；SK海力士2025年公布过4F²的发展路线图。
分析师的评估不一。美国银行说，美国的制裁让长鑫买不到极紫外光刻机，没法靠更精细的制程缩小单元，只能依靠4F²；三大内存厂商研发4F²已超过十年，因为成本高、良率低和客户认证难，一直没有量产。长鑫要用15纳米制程生产4F²产品，三星、SK海力士和美光已经进入第六代10纳米级制程。美国银行也说，如果长鑫2027年和2028年能大量生产，而三大厂商还停留在6F²，长鑫就可能构成威胁。晨星股票分析师Jing Jie Yu说，如果长鑫能比同行更早把这项技术商用，说明中国内存技术的竞争力很强，加上中国内存产能扩张很快，长期来看也会提高供过于求的风险。
茉莉花观察
这一节是茉莉花的看法，依据是上文的事实。
我们的分析长鑫选4F²，和美国的制裁直接相关。买不到极紫外光刻机，长鑫没法像三大厂商那样靠更精细的制程缩小存储单元，只能从单元结构上想办法：长鑫用的是15纳米制程，三大厂商已经进入第六代10纳米级制程。
不同看法罗森布拉特的分析师认为，长鑫的宣布是“纸老虎”，内存股的抛售过头了。我们同意，三大厂商研发十多年都因为成本和良率没有量产4F²，长鑫也要过这一关；但三星首席技术官已公开说三星在开发4F²，美国银行也说，长鑫若在2027年和2028年大量生产，就可能构成威胁。
后续走向长鑫能不能在年底前真的发布4F²服务器内存。我们判断，到2026年12月31日（含当天），长鑫存储会正式发布采用4F²架构的DDR5服务器内存产品。长鑫总裁在会议上宣布的计划，没有公布规格，也没有具体日期，SK海力士和三星电子的股价却在两天里分别跌了15%和13%。
